光刻解析度與焦深估算（瑞利判據） 使用指南
演算法（瑞利）：解析度 R = k1 × λ / NA（nm）；總焦深 DOF = 2 × k2 × λ / NA²（nm），半焦深 = k2 × λ / NA²；k1、k2 為工藝因子（典型 0.25~0.4、0.5~0…
核心功能
- 按瑞利判據由曝光波長與數值孔徑 NA 估算最小解析度
- 計算焦深（DOF）
- 支援不同 k1 因子與介質折射率的對比
- 輔助工藝節點評估與光刻機方案選型
適用場景
- 半導體工藝節點評估：輸入波長與數值孔徑 NA，按瑞利判據估解析度與焦深
- 光刻機選型：對比 DUV/EUV 可達最小線寬
- 工藝視窗：焦深關係套刻容差與產線良率
使用步驟
- 輸入曝光波長（如 193nm DUV / 13.5nm EUV）
- 輸入數值孔徑 NA 與介質折射率
- 輸入 k1 工藝因子
- 點選計算，讀取最小解析度與焦深
- 對比不同波長/NA 方案，評估工藝視窗
實用技巧
- k1 越小解析度越高，但受 OPC/相移等解析度增強技術與物理極限約束
- 焦深 DOF 是清晰成像的軸向容差，DOF 小則平整度/調焦要求更嚴
- 浸沒式與大 NA 可提高解析度，但會壓縮焦深
- 結果為理論估算，實際線寬還受抗蝕劑與工藝影響
常見問題
- k1 因子什麼意思？
- 瑞利常數，反映工藝難度與照明/掩模最佳化水平；k1 越小解析度越高，但受解析度增強技術（OPC、相移）與物理極限約束。
- 焦深為什麼重要？
- DOF 是清晰成像的軸向容差；DOF 小則 wafer 平整度/調焦要求更嚴，直接影響套刻良率；浸沒式與大 NA 會壓縮 DOF。