光刻分辨率与焦深估算（瑞利判据） 使用指南
算法（瑞利）：分辨率 R = k1 × λ / NA（nm）；总焦深 DOF = 2 × k2 × λ / NA²（nm），半焦深 = k2 × λ / NA²；k1、k2 为工艺因子（典型 0.25~0.4、0.5~0…
核心功能
- 按瑞利判据由曝光波长与数值孔径 NA 估算最小分辨率
- 计算焦深（DOF）
- 支持不同 k1 因子与介质折射率的对比
- 辅助工艺节点评估与光刻机方案选型
适用场景
- 半导体工艺节点评估：输入波长与数值孔径 NA，按瑞利判据估分辨率与焦深
- 光刻机选型：对比 DUV/EUV 可达最小线宽
- 工艺窗口：焦深关系套刻容差与产线良率
使用步骤
- 输入曝光波长（如 193nm DUV / 13.5nm EUV）
- 输入数值孔径 NA 与介质折射率
- 输入 k1 工艺因子
- 点击计算，读取最小分辨率与焦深
- 对比不同波长/NA 方案，评估工艺窗口
实用技巧
- k1 越小分辨率越高，但受 OPC/相移等分辨率增强技术与物理极限约束
- 焦深 DOF 是清晰成像的轴向容差，DOF 小则平整度/调焦要求更严
- 浸没式与大 NA 可提高分辨率，但会压缩焦深
- 结果为理论估算，实际线宽还受抗蚀剂与工艺影响
常见问题
- k1 因子什么意思？
- 瑞利常数，反映工艺难度与照明/掩模优化水平；k1 越小分辨率越高，但受分辨率增强技术（OPC、相移）与物理极限约束。
- 焦深为什么重要？
- DOF 是清晰成像的轴向容差；DOF 小则 wafer 平整度/调焦要求更严，直接影响套刻良率；浸没式与大 NA 会压缩 DOF。